Investigation of tellurium−implanted silicon
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Investigation of tellurium - implanted silicon *
Hall and sheet-resistivity measurements as a function of temperature combined with layer removal have been used to study Si implanted with Teat energies up to 220 keY. At low doses c::S: 4 X l 0 em--'), Te has a donor level with a 140-meV activation energy. The activation energy decreases at higher Te doses and is approximately equal to zero forTe doses<: I 0 cm• At high dose levels, the number...
متن کاملinvestigation of thermal comfort properties of woven sport fabric using blend of estabragh fibers
امروزه لباس در نظر ورزشکاران و کسانی که برای اوقات فراغت خود و یا برای رسیدن به اندامی متعادل، ورزش می کنند؛ بسیار با اهمیت است. احساس مطلوب از لباس در زمره خصوصیات راحتی پوشش می باشد. خصوصیات انتقال رطوبت لباس، در ارزیابی راحتی حسی و حرارتی منسوجات تولید شده از آن ها بسیار مهم است. هدف از این تحقیق، معرفی پارچه جدید است که متشکل از الیاف استبرق با خواص منحصر به فرد می باشد. استبرق لیف طبیعی تو...
Junction investigation of graphene/silicon Schottky diodes
Here we present a facile technique for the large-scale production of few-layer graphene flakes. The as-sonicated, supernatant, and sediment of the graphene product were respectively sprayed onto different types of silicon wafers. It was found that all devices exhibited current rectification properties, and the supernatant graphene devices have the best performance. Schottky junctions formed bet...
متن کاملinvestigation of (meta)discourse markers in elt coursebooks
the present study aimed to investigate representation of discourse markers and metadiscourse markers in conversations and readings of general elt coursebook series used in the language centers of iran. to this aim, four elt coursebooks popularly taught in language centers of this country were analyzed based on fung and carter’s (2007) framework regarding discourse markers and hyland’s (2005) fr...
ذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Journal of Applied Physics
سال: 1975
ISSN: 0021-8979,1089-7550
DOI: 10.1063/1.321347